按照慣例，三星每年都會帶來多款手機產品的更新。與此同時，芯片產品的研發生產也是三星旗下備受關注的業務部分。
此前，三星公佈了自家的3納米制程工藝已經達到了可以批量生產的標準，但因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現並不盡如人意，所以仍有不少相關機構並不看好三星的工藝。
現在，隨著時間的推進，關於三星旗下芯片相關業務也再次出現了新的消息。
近日的一份爆料中提到，高通後續的驍龍 8 Gen 4 處理器或將採用臺積電的 3nm 工藝。與此同時，高通還會繼續推出為三星定製設計的驍龍 8 Gen 4 for Galaxy處理器，這顆芯片則將採用三星的 3nm GAP 工藝。
按照這份消息中的說法，高通有望在後續再次選擇與三星合作生產旗下芯片產品，且這些芯片將被搭載於三星的手機產品中。
以往的消息曾提到過，三星電子先進製程良率較低，自5納米制程開始一直存在良率問題，在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。
據傳三星3 納米解決方案製程自量產以來，良率不超過20%，量產進度陷入瓶頸。三星目前在4納米和5納米工藝節點上出現了與產量有關的問題，其不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。
相關消息顯示，三星3納米工藝的改進目前仍在進行中，4納米的工藝提升已初見成效。
據鳳凰網科技報道稱，三星4納米芯片製程良率已改善、接近5納米的水準，下一代4納米制程將提供更高的良率。
不過，就最新爆料中顯示的信息來看，三星可能還需要兩年左右的時間才能夠再次進行基於3nm工藝的旗艦平臺的產品生產。而隨著時間的推進，整體的情況發展也存在著變化的可能。
另外，除了來自高通的定製芯片產品外，三星也一直在進行旗下Exynos芯片的研發推進。
此前的消息中曾提到過，三星電子計劃在今年第四季度將扇出晶圓級封裝（FoWLP）技術應用於其移動處理器 Exynos。而這款全新的芯片產品將是新一代的Exynos 2400。
據悉，基於FoWLP技術，全新的Exynos 2400芯片將帶來更小的尺寸、更強的性能以及更節能的功耗表現。
而按照以往消息中提到的信息，三星正在改進 Exynos 2200 處理器，並有望在後續推出全新的Exynos 2400旗艦級別處理器產品。
其中，改進的Exynos 2200 處理器將搭載於今年下半年上市的 Galaxy S23 FE中。後續三星還會推出新一代的Exynos 2400芯片。
同一份消息中的爆料顯示，全新的 Exynos 2400 旗艦平臺最早有可能會在今年的 11 月開始量產，並搭載於明年第一季度的 Galaxy S24 系列中。
綜合目前出現的爆料信息來看，其中提到了三星自研的Exynos 旗艦芯片推進信息，還顯示了高通為三星定製的處理器有可能會迭代至驍龍 8 Gen 4 for Galaxy。
也就是說，三星應該是在同時推進自研芯片和定製芯片的量產技術升級。這樣一來，後續的三星旗艦設備將會搭載什麼樣的芯片也令人更加好奇。
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