新聞①：Ryzen 7 7840U性能展示，780M核顯比RTX 2050更快，可與GTX 1650 Ti叫板

AMD在本週發佈了Ryzen 7040U系列處理器，它們同樣基於Phoenix芯片，採用Zen 4架構CPU和RDNA3架構GPU，而AOKZEO的A1 Pro是目前為數不多搭載Ryzen 7040U處理器的掌機，頂配的採用Ryzen 7 7840U處理器，近段時間AOKZEO在他們的油管頻道上傳了不少A1 Pro掌機的演示視頻，也包含了一些基準測試。

掌機所用的Ryzen 7 7840U處理器是8核16線程，基礎頻率3.3GHz，加速頻率5.1GHz，TDP在15W到30W之間可調，採用Radeon 780M核顯配有12組CU，GPU頻率能到2.7GHz，與上一代RDNA2架構的Radeon 680M擁有相同的CU數量，但頻率高得多，畢竟680M最高只能到2.2GHz。

從3DMark基準測試來看，Radeon 780M核顯的性能比680M快28%到31%左右，比GTX 1650 Ti Max-Q慢3%~7%，可以說兩者的性能相當接近，和RTX 2050比較的話，Fire Strike測試慢了3%，但在Time Spy測試中快了26%。

CPU性能方面，Ryzen 7 7840U已經比上代45W的Ryzen 9 6900HX要高了，多線程領先4.5%，單線程領先12%，和功耗更高的Core i7-12700H相比的話也不會差距太大。

它們還展示了一些遊戲的運行幀率，具體分辨率和畫質設置圖上有標明，由於掌機的屏幕是1920*1200的，所以有不少遊戲的分辨率是1280*800，在那種小尺寸屏幕上其實也沒太大所謂，許多遊戲都能以45~60fps運行，可見Ryzen 7 7840U對於掌機來說是一款相當強勁的處理器。

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似乎和我們預想的不太一樣，雖然在核顯規模上，R780M和R680M都是12CU，看起來提升不大，但隨著工藝製程、架構以及緩存、內存的提升，R780M的性能表現要超過R680M很多！而且此次的對比測試中AMD引入了與獨顯的對比，之前的Vega核顯已經可以取代入門的MX系列，這次R780M的目標則是XX50系列的中低端，而顯然這個目標已經實現了。如此一來，中低端的獨顯唯一的價值應該就是獨立的、帶寬更高的顯存？不知道這一優勢在帶寬更高的內存問世之後還能保持多久……

新聞②：消息稱英特爾 14 代酷睿核顯性能超過 AMD 780M，接近 RTX 3050

海外硬件爆料人 Moore's Law is Dead 放出了有關英特爾 14 代酷睿 Meteor Lake 移動處理器核顯性能的爆料，稱其接近筆記本 RTX 3050 水平。

根據該爆料人繪製的圖表，在 45W 性能釋放下，14 代酷睿移動處理器的 128EU 核顯性能在 AMD Radeon 780M 和 AMD 下一代核顯之間，強於 50W 的 GTX 1650 獨顯，接近 35W 的 RTX 3050。

據爆料，Meteor Lake 將採用 Xe-LPG 架構核顯，臺積電 5nm 工藝打造，最高 128EU，頻率高達 2.1GHz，計算性能超 4 TFLOPs，支持 DirectX 12 Ultimate 和 XeSS 技術。此外，該系列處理器將擁有全新的 Adamantine L4 緩存，這將給核顯性能帶來很大的提升。

IT之家彙總 Meteor Lake 此前消息如下：

新一代處理器 Meteor Lake 將在 2023 年下半年推出。Meteor Lake 將採用 Intel 4 工藝和外部工藝，並且首次引入“Tile”設計，集成 CPU、SOC、核顯和 IOE 芯片。

原文鏈接：https://www.expreview.com/88106.html

而Intel這邊也很瘋狂，目前除了Iris系列之外，Intel的核顯其實都是單Die的異構iGPU，這樣的選擇實際限制了iGPU的規模。而14代的Meteor Lake架構引入了多Die封裝，這讓更大規模的iGPU成為了可能。事實上，目前透露出的細節來看，Intel應該確實可以做到，未來強大的集成顯卡可能不再是AMD一家獨大。不過這下真的就是核顯打架獨顯遭殃了，如果真有匹敵3050的核顯，那低端獨顯筆記本的市場空間會更小，也真的挺困難的……

新聞③：三星稱其代工技術五年內可超越臺積電，存儲半導體在AI服務器上將變得更重要

近日，三星半導體在KAIST（韓國科學技術研究院）舉辦了一場講座，三星電子設備解決方案業務部門負責人慶桂顯介紹了三星半導體追趕競爭對手臺積電（TSMC）的願景。

據Sammobile報道，慶桂顯首先承認了三星在代工技術上落後於臺積電，4nm工藝技術上落後了約兩年，而3nm工藝技術上落後了約一年。不過慶桂顯認為三星現在有一項優勢，那就是更早地採用GAA架構晶體管技術，縮小了與臺積電之間的距離，隨著時間的推移，三星可以在五年內超越臺積電。

三星在去年6月，宣佈其位於韓國的華城工廠開始生產3nm芯片，成為了全球唯一一家採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。與三星不同的是，臺積電在3nm工藝上仍使用傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管），要等到2nm工藝才引入新的晶體管技術。

最近有報道稱，三星的3nm工藝量產後的良品率已提升至60%到70%之間，吸引了不少客戶的關注。慶桂顯稱，客戶對3nm GAA工藝的反應很好，預計推進到2nm工藝時，與臺積電之間的競爭態勢就會發生改變。

此外，慶桂顯表示，存儲半導體在開發人工智能服務器方面會變得更加重要，甚至超過英偉達的GPU，三星將“確保以存儲器半導體為中心的超級計算機在2028年問世”。

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昨天我們提到過一件事情，就是臺積電的N3工藝進度有些不盡如人意。事實上，更早的業界消息中有提到，在N3、N2工藝節點上三星已經不落後於臺積電多少了，三星自己也自信的認為能在未來的五年內反超臺積電，成為半導體代工行業龍頭。我們也不希望看到一家獨大的場面，這樣會讓芯片價格失去制衡，希望三星能給力一些吧！這幾年三星代工翻車的例子可太多了！

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